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BSS225中文资料

BSS225图片

BSS225外观图

  • 大小：205.46KB
  • 厂家：INFINEON
  • 描述：Infineon Technologies AG [SIPMOS㈢ Small-Signal-Transistor]
  • 典型关断延迟时间：62 ns
  • 典型接通延迟时间：14 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs：3.9 nC V @ 10
  • 典型输入电容值@Vds：99 pF V @ 25
  • 安装类型：表面贴装
  • 宽度：2.5mm
  • 封装类型：SOT-89
  • 尺寸：4.5 x 2.5 x 1.5mm
  • 引脚数目：4
  • 最低工作温度：-55 °C
  • 最大功率耗散：1 W
  • 最大栅源电压：±20 V
  • 最大漏源电压：600 V
  • 最大漏源电阻值：45
  • 最大连续漏极电流：0.09 A
  • 最高工作温度：+150 °C
  • 每片芯片元件数目：1
  • 类别：小信号
  • 通道模式：增强
  • 通道类型：N
  • 配置：双漏极
  • 长度：4.5mm
  • 高度：1.5mm

BSS225供应商

更新时间:2023-01-06 06:15:18
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